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J-GLOBAL ID：201802236647908515   整理番号：18A0187829

III V/GeベーストンネルMOSFET【Powered by NICT】

III-V/Ge-based tunneling MOSFET

著者 (10件)： Takagi S. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Ahn D.-H. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Gotow T. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Nishi K. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Bae T.-E. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Katoh T. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Matsumura R. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Takaguchi R. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Kato K. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo) ,  Takenaka M. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： E3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネルMOSFET(TFET)は最も有望な急傾斜装置の一つであり,超低電力とIoT応用のための将来の微細先端LSIに必須であると見なされている。Fig.1は典型的なp-n接合TFETのバンド図を示した。急傾斜地特性をエネルギーフィルタリング効果により実現でき,トンネル電流の鋭い開始は源の価電子帯とnチャネルTFETにおけるチャネルの伝導帯の間の状態密度の重なりによって誘起される。可能な漏れ電流経路を生成する,MOS界面におけるバルク欠陥,テイル状態と界面状態のようなバンドギャップの欠陥を注意深く除去する必要がある。源不純物濃度と源不純物プロファイルの急峻性が,十分に高いなければならず,トンネル障壁幅を薄くすると高いトンネル電流を得るために。Fig.2は重要な問題とp-n接合に基づくTFETsのデバイス工学を要約した。要求の大部分は最新のCMOSデバイスのものと共有されているが,TFETに固有のデバイス工学はトンネル接合の形成は,指摘した。ソースドーピング濃度の最適化とドーパント濃度プロファイルの空間的勾配は間伐トンネル障壁において重要である。添加において,ソースとチャネル材料の選択は非常に重要である。Si TFETは低S.S.と高I_onのため,高いと間接バンドギャップのために低トンネル確率を実現するのが困難である。このように,GeおよびIII-Vのような半導体は,TFETsのI_onを強化するための小及び/又は直接バンドギャップを有する適切な材料として期待されている。さらに,IIヘテロ構造から成る型source/channel接合はTFET性能を高めるのに有効であることが知られている。このような観点から,著者らは以下の材料系[1 3],(1)InGaAs TFET(2)GaAsSb(ソース)/InGaAs(チャネル)TFET(3)Ge TFET(4)Ge(ソース)/歪Si(チャネル)TFETのために加工されている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  チャネル ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  トンネル接合 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体 ,  漏れ電流 ,  状態密度 ,  PN接合 ,  最適化 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  トンネル電流 ,  トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  トンネル ,  MOSFET