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J-GLOBAL ID：201802236656320669   整理番号：18A0707481

SWIR領域における外部一軸歪下のタイプIIドープしたalsb/InAsナノヘテロ構造における光応答計算【JST・京大機械翻訳】

Optical response computations in type-II doped AlSb/InAs nano-heterostructure under external uniaxial strain in SWIR range

著者 (2件)： Rathi Amit (Department of Electronics and Communication Engineering, Manipal University Jaipur, Rajasthan, India) ,  Singh Amit Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering, Manipal University Jaipur, Rajasthan, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICETSS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： II型量子井戸ヘテロ構造における波動対称性と光学利得スペクトルの変換を外部一軸歪下で観測した。本論文では,SWIR範囲において[100]に沿った外部一軸歪を受けたタイプIIドープAlSb/InAs単一量子井戸ヘテロ構造における波動関数と光学利得を報告した。光学利得とは別に,原子価と伝導帯エンベロープ関数に沿ったエネルギーバンド構造を電磁場摂動下で計算した。6×6対角化k-pハミルトニアンを解き,Luttinger-Kohnモデルを用いて,軽い正孔エネルギーと重い正孔エネルギーを計算した。4×10~12/cmの注入キャリア密度に対して,TM偏光におけるピーク光学利得は0.47eVにおいて3600/cmであることが分かった。[100]に沿って適用した一軸歪下での光学利得スペクトルにおいて,正しい方向への顕著なシフトが観測された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 原子価 ,  エンベロープ ,  キャリア密度 ,  対称性 ,  *ヒ化インジウム ,  波動関数 ,  ハミルトニアン ,  *ドーピング ,  伝導バンド ,  偏光 ,  量子井戸
準シソーラス用語： 光利得 ,  利得スペクトル ,  *ヘテロ構造 ,  *一軸歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： SWIR ,  一軸歪 ,  タイプ ,  ドープ ,  InAs ,  ヘテロ構造 ,  光応答 ,  計算