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J-GLOBAL ID：201802236833715022   整理番号：18A1591556

ナノ双晶Cu薄膜の構造と性質に及ぼす膜厚とTi中間層の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of film thickness and Ti interlayer on structure and properties of Nanotwinned Cu thin films

著者 (3件)： Ouyang Fan-Yi (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Yang Kai-Hung (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Chang Leh-Ping (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 350  ページ： 848-856  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ双晶Cu薄膜をSi(100)基板上に不平衡マグネトロンスパッタリング(UBMS)システムを用いて作製し,堆積速度はそれぞれ0.6nm/sと1.4nm/sであった。膜の微細構造,抵抗率および硬度に及ぼす膜厚およびTi中間層の影響を調べた。結果は,(111)が異なる厚さのCu膜における支配的優先配向であり,Ti中間層がCu(111)の成長を促進することを示した。461nmと600nmの間に臨界厚さがあり,それにおいて,応力は双晶を形成するために効果的に緩和することができた。膜厚が600nm以上のとき,双晶境界と基板表面の間に70.5または54.7の角度を有する双晶構造が最初に形成された。しかし,膜厚がさらに増加すると,大部分の双晶境界は基板に平行であることが分かった。Cu薄膜の硬度は2.0から3.2GPaの範囲で,低蒸着速度群の膜厚にのみ依存した。1.96×10~8Ωmから2.77×10~8Ωmまでの範囲のCu薄膜の抵抗率は,0.6nm/sで堆積した試料では膜厚の増加と共にわずかに減少したが,1.4nm/sの堆積速度では膜厚に関しては著しくは変化しなかった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微細構造 ,  *銅 ,  電気抵抗率 ,  堆積速度 ,  *チタン ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  優先配向 ,  双晶境界 ,  薄膜成長 ,  *薄膜 ,  硬度 ,  *双晶 ,  *膜厚
準シソーラス用語： *中間層 ,  *ナノ双晶 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ナノツイン ,  Cu ,  スパッタ ,  中間層 ,  膜厚 ,  ナノ結晶薄膜

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノ双晶 ,  Cu ,  薄膜 ,  性質 ,  膜厚 ,  Ti ,  中間層