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J-GLOBAL ID:201802236969328604   整理番号:18A0838313

広いスペクトル範囲で発光するInGaN/GaN構造における光励起キャリアの空間再分布【JST・京大機械翻訳】

Spatial redistribution of photoexcited carriers in InGaN/GaN structures emitting in a wide spectral range
著者 (6件):
資料名:
巻: 199  ページ: 379-383  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0731A  ISSN: 0022-2313  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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堆積温度を変えることにより広いスペクトル範囲で発光する成長InGaN系多重量子井戸(QW)における有機金属化学蒸着におけるパルスモードの能力を試験した。テンプレートとして用いた短周期超格子を成長させるための温度の低下と活性なQWは,光ルミネセンスピーク位置を580nmに赤方偏移させることを可能にした。共焦点顕微鏡を用いた空間分解光ルミネセンス分光法により,~530nmより長い波長で発光する構造はポテンシャルゆらぎのプロフィルにおいて特異な特徴を有し,青色領域で発光する構造で観測されたものと定性的に異なることを明らかにした。小さな空間スケールのポテンシャルゆらぎの支配から大規模ポテンシャルゆらぎの出現への遷移は,発光強度のかなりの減少を伴う。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体のルミネセンス  ,  塩 

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