文献

J-GLOBAL ID：201802236997425358   整理番号：18A0406600

ゲル取込によるPbI_2バンドギャップ工学【Powered by NICT】

PbI₂ band gap engineering by gel incorporation

著者 (7件)： Hu Chong (MOE Key Laboratory of Macromolecular Synthesis and Functionalization, State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Polymer Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, China. [e-mail]) ,  Ye Tao ,  Liu Yujing ,  Ren Jie ,  Jin Xinyi ,  Chen Hongzheng ,  Li Hanying
資料名： Materials Chemistry Frontiers  (Materials Chemistry Frontiers)
巻： 2  号： 2  ページ： 362-368  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2466A  ISSN： 2052-1537  CODEN： MCFAC5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導性単結晶ホスト中へのゲスト材料の取り込みは,半導体単結晶複合材料の形成をもたらした。しかし,これらの潜在的官能化単結晶複合材料の特性を包括的に研究がなされてきた限られた。PbI_2/ゲル単結晶複合材料を成功裏に調製した。拡散反射スペクトルはゲル取込後PbI_2のバンドギャップの明らかな増加を示した。バンドギャップはホスト/ゲスト界面の面積が拡大されたり,界面での原子間力を増強することによりさらに増加した。ホスト/ゲスト界面で原子間力(静電相互作用)は,このバンドギャップシフトに起因した。そのようなものとして,本研究はゲル取込によるバンドギャップ工学のための新規で容易な方法を提供する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  複合材料 ,  静電相互作用 ,  界面 ,  官能化 ,  半導性 ,  単結晶 ,  *バンドギャップ ,  *ゲル
準シソーラス用語： 原子間力 ,  拡散反射スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲル ,  取込 ,  バンドギャップ ,  工学