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J-GLOBAL ID:201802237021232848   整理番号:18A0450331

ZnSeバッファ層を用いたCZTS太陽電池シミュレーションの包括的研究【Powered by NICT】

A comprehensive study of CZTS solar cell simulation with ZnSe buffer layer
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: R10-HTC  ページ: 193-197  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CZTS太陽電池の吸収体層は良好な電気特性を持つ化合物半導体である。研究者はその地球存在量と毒性特性のためにほとんど調べにおいて非常に興味を持っている。本研究では,CZTS太陽電池のバッファ層としてセレン化亜鉛を用い,バッファ層としての適合性のそのパラメータを調べた。ZnO ZnSe CZTS構造をシミュレーションに使用した。SCAPS3302シミュレーションソフトウェアを用いていくつかのパラメータを最適化した。性能は異なるCZTS層の厚さ,バッファ層厚さ,ドーピング濃度と温度で記録した。CZTS層は0.5~4μmの間で変化させた,バッファ層は0.03~0.1μmの間で変化させた,ドーピング濃度が1×10~10 10~14/cm~3の間で変化させ,温度は300~400Kの間で変化したこれらのパラメータを最適化し,最良のエネルギー変換効率,Voc=0.8636V Jsc=28.4825mA~2,FF=46.70%と11.49%を得た。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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