抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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近年,ファンアウトウエハレベルパッケージング(FOWLP)は,より大規模な高密度パッケージに対する需要の増加を満たす主流技術になっている。FOWLPは,より小さいフットプリントとより薄いパッケージにより,マルチチップ機能を提供し,改良された熱的および電気的性能とともに,より高い入出力(I/O)をもたらす。FOWLPを製造するための2つの主要なアプローチがある:チップ-最初(フェイスアップまたはフェースダウン)とチップ-最後(再分布層[RDL]-最初)。チップ-第一プロセスは基板上にダイスを置き始め,次にエポキシモールド化合物(EMC)材料で基板を過剰成形し,再構成基板を形成し,その後,RDLを相互接続のためにEMC上に構築する。Chip第一アプローチは,RDLが最小で収率が非常に高い低I/Oダイスに対して典型的に使用されている。しかし,高価値金型(大I/O)に対しては,RDL構造が最初に電気的に試験されるか視覚的に検査され,悪い場所に良い金型を置くことを避けることができる。RDL-第一プロセスの間,レーザ放出材料をキャリア上に被覆し,次に多層微細RDLを放出層の上に構築した。金型付着と成形の後,放出層はキャリアを通過するUVレーザへの曝露によって分離される。レーザ放出材料はFOWLP技術において重要な役割を果たす。レーザ放出材料設計の課題は以下を含む。すなわち,ガラス転移温度(Tg),熱膨張係数(CTE),熱安定性,および化学抵抗などの望ましい機械的および化学的性質を得ることである。これらの材料は,基板への良好な接着とレーザアブレーションを成功裏に行う能力も実証する必要がある。現在,一時的結合および剥離(TB/DB)プロセスにおいて,ほとんどのレーザ放出材料は低温で接合できず,したがって,それらは結合材料と組み合わせて使用する必要がある。これは材料設計を単純化するが,それは付加的なプロセスステップを必要とし,より低いスループットをもたらす。本研究では,一連の新しく開発された感光性高分子ベースの一時的接着材料の使用について述べた。これらの新規材料の低Tg特性のために,それらは適度に低い温度で異なる基板上に結合または積層することができる。これらの材料は,その後の下流高温および真空プロセスの間,所望の機械的安定性を得るために熱的またはUV硬化でき,極端な裏面処理をパスするために必要な良好な化学的抵抗性を有している。さらに,それらは,UVレーザに対するそれらの高い感度のためにレーザアブレーションによって剥離することができた。本論文では,これらの新しい一時的接着材料が先進パッケージ技術における使用に対して信頼できる性能を達成できる方法を詳細に示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
