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J-GLOBAL ID：201802237225192532   整理番号：18A1191057

DC-HgM_2Te_4(M=Al,In)の構造,電子および振動特性に及ぼす二軸歪と高圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Biaxial Strains and High Pressure on the Structural, Electronic, and Vibrational Properties of DC-HgM₂Te₄ (M = Al, In)

著者 (6件)： Zhang Shaobo (School of Physical Science and Technology, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, P.R. China) ,  Shi Liwei (School of Physical Science and Technology, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, P.R. China) ,  Huang Chuanfu (School of Physical Science and Technology, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, P.R. China) ,  Xia Wangsuo (School of Physical Science and Technology, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, P.R. China) ,  Zhang Lanyang (School of Physical Science and Technology, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, P.R. China) ,  Zhu Haiyan (School of Physical Science and Technology, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 255  号： 6  ページ： e1700574  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を行い,欠陥黄銅鉱HGM_2Te_4(M=Al,In)半導体の構造的,電子的,格子力学的性質に及ぼす二軸歪と高圧の影響を研究した。二軸歪と圧力による最適化構造パラメータ,バンドギャップエネルギー,結晶場分裂エネルギー,およびΓ点フォノン周波数の発展を解析した。最適化された格子定数は,既存の実験結果と比較して合理的である。両化合物は,引張εxx下で間接的なバンドギャップ遷移を起こすが,半導体は圧力下で間接バンドギャップ特性を保持する。圧力の増加は結晶場分裂ホール(CH)バンドを下方に押し上げる。対照的に,増加する二軸歪はCHバンドシフトを上方にし,結晶場分裂エネルギーΔcfは正から負に減少する。X点周辺の低周波数モードの圧力誘起柔軟性は,両化合物が動的に不安定になることを示唆した。原子変位パターンは,高周波モードが主にIII族カチオンの振動により決定されることを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： カチオン ,  格子定数 ,  黄銅鉱 ,  *高圧 ,  半導体 ,  密度汎関数法 ,  引張 ,  バンドギャップ ,  構造パラメータ ,  最適化 ,  柔軟性
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  バンドギャップエネルギー ,  第一原理計算 ,  *二軸ひずみ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二軸歪 ,  欠陥黄銅鉱 ,  DFT計算 ,  静水圧

分類 (5件)： 固相転移  (BL04020G) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  有機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08085G) ,  非金属元素とその化合物の結晶構造  (BK07010N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： DC ,  電子 ,  振動特性 ,  二軸歪 ,  高圧