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J-GLOBAL ID：201802237324201343   整理番号：18A1137488

Nb-Ti-O系からの二元および三元薄膜の光学的および半導体的性質【JST・京大機械翻訳】

Optical and semiconductive properties of binary and ternary thin films from the Nb-Ti-O system

著者 (4件)： Aperador W. (School of Engineering, Universidad Militar Nueva Granada, Bogota, Colombia) ,  Yate L. (CIC biomaGUNE Donostia, San Sebastian, Spain) ,  Pinzon M.J. (Vice-Rectory for Research, ECCI University, Bogota, Colombia) ,  Caicedo J.C. (Tribology Polymers, Powder Metallurgy and Processing of Solid Recycled Research Group, Universidad del Valle, Cali, Colombia)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 9  ページ： 328-336  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nb,Ti,O元素に基づく二元TiO_2,Nb_2O_5及び三元Nb-Ti-O薄膜(半導体型)の物理化学的性質を決定するために,動電位電気化学インピーダンス分光法によるMott-Schottkyモデル取得に基づいて研究を行った。光学特性の研究に用いた技術は分光透過率のものであり,分光光度計を用いて測定を行った。インピーダンスデータの整合性をKramers-Kronig関係を計算することによって研究した。構造特性をXRDパターンによって分析した。すべての薄膜の化学組成測定をXPS技術を用いて行った。従って,本研究では,透過率値は,355nm付近の波長を有するNb_2O_5に対する72.74%からTi-Nb-Oに対する59.68%へ変化した。全ての膜に対する吸収係数は,355nm付近の波長を有するNb_2O_5から91240.90cm-1に対して,31823.87cm-1から91240.90cm-1まで分析され,65%の減少を示した。直接バンドギャップは,全ての膜において,Nb_2O_5に対する3.56eVから,Ti-Nb-Oに対する3.96eVへの光子エネルギー(バンドギャップEg)変化が,10%の減少を証明することを見出した。約355nmの波長を持つNb_2O_5に対する0.038cm-1からTi-Nb-O膜に対する0.277cm-1までのすべての膜において消光係数値は変化し,86%の増加を示した。最後に,Mott-Schottky分析により,参照電位(Ag/AgCl)は,62%の還元を示すTi-Nb-O材料に対して,Nb_2O_5に対する-2.09Vから-0.80Vまでの全ての膜に対して変化することが観察された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 波長 ,  光学的性質 ,  化学組成 ,  X線回折 ,  電位 ,  酸化チタン ,  吸収係数 ,  *半導体 ,  *薄膜 ,  分光光度計 ,  構造特性 ,  バンドギャップ ,  透過率
準シソーラス用語： 消光係数 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Mott-Schottky ,  薄膜 ,  酸化チタン ,  酸化ニオブ ,  半導体特性

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Nb ,  Ti ,  薄膜 ,  光学 ,  性質