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J-GLOBAL ID：201802237403465605   整理番号：18A1814980

高圧ひずみを付与された半導体材料の熱・電気輸送特性

著者 (8件)： SIVASANKARAN Harish (九大) ,  川脇秀一 (九大 大学院) ,  三浦飛鳥 (東大 大学院) ,  生駒嘉史 (九大) ,  高田保之 (九大) ,  堀田善治 (九大) ,  塩見淳一郎 (東大) ,  河野正道 (九大)
資料名： 日本伝熱シンポジウム講演論文集(CD-ROM)
巻： 55th  ページ： ROMBUNNO.F324  発行年： 2018年 
JST資料番号： F0872D  ISSN： 1346-1532  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では半導体材料の結晶構造・微細構造と熱・電気輸送機構の因果関係を検討するため,HPT加工によって半導体材料にひずみを導入することで結晶構造の変化(準安定相の生成)や結晶粒の微細化を行い,材料のナノ構造とその熱・電気輸送特性の相関を検討したので報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体材料 ,  歪 ,  *SPD【塑性】 ,  ねじり加工 ,  高圧 ,  準安定相 ,  結晶粒微細化 ,  ナノ構造 ,  微細構造 ,  *熱伝導率 ,  電気伝導率 ,  ケイ素 ,  熱電材料 ,  輸送係数
準シソーラス用語： HPT加工 ,  Seebeck係数 ,  シリコン

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高圧 ,  ひずみ ,  半導体材料 ,  輸送特性