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J-GLOBAL ID:201802237405202957   整理番号:18A1616460

正浸透における内部濃度分極低減のためのSiO_2@MWNT組込みPVDF基板の構築【JST・京大機械翻訳】

Construction of SiO2@MWNTs incorporated PVDF substrate for reducing internal concentration polarization in forward osmosis
著者 (16件):
資料名:
巻: 564  ページ: 328-341  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0669A  ISSN: 0376-7388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,得られた薄膜複合体前方浸透(TFC-FO)膜の内部濃度分極(ICP)影響を初めて軽減するために,ポリフッ化ビニリデン(PVDF)基板にSiO_2@MWNTsを組み込む容易で効果的な方法を提供した。前駆体としてオルトケイ酸テトラエチル(TEOS)を用いた多層カーボンナノチューブ(MWNTs)のその場修飾を行い,PVDF膜基板における合成SiO_2@MWNTsの改良された親水性と優れた分散をもたらした。改質基板の形態と特性に及ぼすSiO_2@MWNTs濃度の影響とポリアミド(PA)層構造に及ぼす更なる影響を種々のキャラクタリゼーションによって研究した。また,得られたTFC-FO膜の固有分離特性と正浸透性能も系統的に研究した。対照TFC膜と比較して,SiO_2@MWNT改質TFC膜は,減少したJ_S/J_V値(1.10から0.19g/Lまで)により示されるように,膜選択性の向上により,より高い水フラックスを示した。したがって,本研究は,水フラックスの増加と選択性の増加を伴うTFC-FO膜を調製するための代替アプローチを提示する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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膜分離 
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