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J-GLOBAL ID:201802237493009484   整理番号:18A0483572

NドープしたブラックTiO_2ナノチューブアレイの光電気化学的性質【Powered by NICT】

Photoelectrochemical properties of N doped black TiO2 nanotube arrays
著者 (7件):
資料名:
巻: 216  ページ: 239-242  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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TiO_2ナノチューブアレイ(TNT)を,エチレングリコール電解質中でのTi箔上に陽極酸化により成長させた。窒素プロセス下での電気化学的還元及び焼成後,格子中のTi~3+と格子間NはXPSとRaman試験により見出された。共ドープブラックTNT試料はバイアス電圧なしで2.54mA cm~ 2の高い光電流密度を示したが,純粋なTNTは光電流密度0.38mA cm~ 2であった,これまでに報告されたブラックTiO_2よりはるかに高かった。電子輸送抵抗は594.8Ωcm~ 2~274.3Ωcm~ 2から減少し,キャリア密度は,N,Ti~3+を共ドープした後に1.35×10~22cm~ 3から6.68×10~22cm~ 3であった。価電子帯XPSスペクトルとMott-Schottkyプロットは,格子中の格子間N,Ti~3+状態の存在はエネルギーギャップを3.2eVから約2.0eVにできることを示した。添加では,0.1M NaH_2PO_4におけるTNTカソード分極は0.5M Na_2SO_4溶液中のそれよりも良好な光電気化学特性を有している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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光化学一般  ,  塩基,金属酸化物 
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