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J-GLOBAL ID:201802237505434928   整理番号:18A1679578

ESD保護のためのHBTデバイスのトリガ電圧調整の簡単な方法【JST・京大機械翻訳】

A Simple Method of Adjusting Trigger Voltage of HBT Device for ESD Protection
著者 (5件):
資料名:
巻: 2018  号: IPFA  ページ: 1-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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HBTデバイスのトリガ電圧はESD保護に重要である。本論文では,SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)デバイスのトリガ電圧を調整する方法を提案した。シミュレーションと実験結果は,HBTのトリガ電圧がエミッタ接合面積を変えることによって簡単に調整できることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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