文献

J-GLOBAL ID：201802237521030860   整理番号：18A1330526

Si(110)再構成構造を用いた均一Siナノドットの作製

Uniform Si nano-dot fabrication using reconstructed structure of Si(110)

著者 (4件)： YANO Masahiro (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  UOZUMI Yuki (Hitachi Power Solutions Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  YASUDA Satoshi (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  ASAOKA Hidehito (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6S1  ページ： 06HD04.1-06HD04.4  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  *結晶方位 ,  *均一性 ,  X線光電子分光法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *表面再構成
準シソーラス用語： *ナノドット

分類 (2件)： 無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (35件)：

• T. Takagahara, Phys. Rev. B 36, 9293 (1987).
• N. H. Bonadeo, J. Erland, D. Gammon, D. Park, D. S. Katzer, and D. G. Steel, Science 282, 1473 (1998).
• X. Li, Y. Wu, D. Steel, D. Gammon, T. H. Stievater, D. S. Katzer, D. Park, C. Piermarocchi, and L. J. Sham, Science 301, 809 (2003).
• A. Berthelot, I. Favero, G. Cassabois, C. Voisin, C. Delalande, P. Roussignol, R. Ferreira, and J. M. Gérard, Nat. Phys. 2, 759 (2006).
• C. Tahan, M. Friesen, and R. Joynt, Phys. Rev. B 66, 035314 (2002).

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  再構成 ,  ナノドット ,  作製