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J-GLOBAL ID：201802237686087990   整理番号：18A1768108

垂直パワーエレクトロニクスデバイスのためのAlInN【JST・京大機械翻訳】

AlInN for Vertical Power Electronic Devices

著者 (3件)： Peart Matthew R. (Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA, USA) ,  Tansu Nelson (Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA, USA) ,  Wierer Jonathan J. (Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 10  ページ： 4276-4281  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代パワーエレクトロニクス半導体としてのAlInNの既知の利点と課題を示した。Al_xIn_1_-xNは,x=0.82でGaNに格子整合し,利用可能な基板,広いバンドギャップ(~4.4eV),および高い移動度(~450cm2/Vs)の利点を有する。報告されたバンドギャップから決定された移動度と推定された臨界電場の経験的および理論的値を用いて決定された性能指数(FOM)は,GaNより約20%から130%倍大きい。これらの高いAlInN FOM値を実現し,正確に決定するために,AlInN/GaN界面における分極誘起電場およびバンドギャップ不連続性,およびキャリア濃度レベルの制御などの実験的課題を克服する必要がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  界面 ,  電場 ,  半導体 ,  分極 ,  性能指数 ,  臨界 ,  キャリア密度 ,  窒化ガリウム ,  不連続性 ,  *パワーエレクトロニクス ,  バンドギャップ ,  格子整合

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 垂直 ,  パワーエレクトロニクス