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J-GLOBAL ID：201802237740049061   整理番号：18A0772361

マグネシウム誘起結晶化による多結晶シリコン薄膜の低温合成

著者 (5件)： 南亮輔 (茨城大) ,  笹島良太 (茨城大) ,  鵜殿治彦 (茨城大) ,  佐藤直幸 (茨城大) ,  池畑隆 (茨城大)
資料名： 電気学会東京支部茨城支所研究発表会講演予稿集  (電気学会東京支部茨城支所研究発表会予稿集)
巻： 25th  ページ： 55  発行年： 2017年11月18日 
JST資料番号： L1929A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  ケイ素 ,  ポリシリコン ,  化学合成 ,  結晶化 ,  マグネシウム ,  誘導 ,  *低温技術

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  低温技術  (BA02040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネシウム ,  誘起 ,  結晶化 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  低温合成