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J-GLOBAL ID:201802237994242970   整理番号:18A0115277

スパッタされたGe添加Fe3O4薄膜中の面外磁気モーメントと格子歪み

Out-of-Plane Magnetic Moment and Lattice Distortion in Sputtered Ge Added Fe3O4 Thin Film
著者 (2件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: 2509-2516  発行年: 2016年03月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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酸化物機能薄膜の最近の研究活動は,従来のトップダウン型またはボトムアップ型のボトムアップ型のアプローチによる製造方法によって,様々な電子デバイスのための興味深いイノベーションを達成している。Fe3O4の高温相は,その半金属性および高いキュリー温度のために,電子材料にとって魅力的な候補である。本研究では,スピネル相の安定化のために5.3原子%のGeを添加した,スパッタリングされた多結晶Fe3O4薄膜を調査した。ラマンおよびXPS測定から,Ge添加物の主要部分は4価であり,スピネル構造に属していると考えられる。70kOeまでの磁場における磁化測定から,4.8kG面外47μM,および1.0kOeのHcが示されたが,それは,面内方向のものを超える,面外磁気異方性の存在を示唆している。これまでに報告されているFe3O4薄膜と比較して,内部のひずみの存在が示唆された。
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分類 (2件):
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金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  ,  酸化物結晶の磁性 
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