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J-GLOBAL ID:201802238068663099   整理番号:18A2107367

高フラックス粒子検出器のためのCMOS0.35μフロントエンドと読出しエレクトロニクスのためのシングルイベントアップセットテスト【JST・京大機械翻訳】

Single Event Upset tests for a CMOS 0.35μ front-end and readout electronics for high-flux particle detectors
著者 (10件):
資料名:
巻: 2017  号: NSS/MIC  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CMOS0.35μm技術で設計された64チャネル集積回路の単一イベントアップセットレートを,イタリア国立研究所(INFN)のSIRAD施設で測定し,解析した。TERA09と呼ばれるチップは,粒子治療においてモニターチャンバーを読み出すために設計された周波数変換器に対する電流である。この分野では,加速器の開発は,高強度パルスビームを提供するコンパクトな解に向かって動いている。TERA09チップは,2,3から数百μAまでの広い入力電流範囲で動作することができ,線形偏差は数%のオーダーであった。チップは,治療ビームから遠い監視チャンバーの位置に位置するように設計され,単一イベントからのデータ破壊からの保護は,その設計において実行されなかった。しかし,データレジスタによってカバーされたチップの比較的大きな面積と照射中に生成された二次中性子場を考慮すると,単一イベント効果現象によるデータ崩壊への潜在的な曝露を扱う必要がある。SIRADにおける試験の目的は,異なるLETのイオンでチップを照射することにより,単一イベントにより堆積されたエネルギーの関数としてのアップセット速度を研究することである。データの解析から,臨床環境における単一イベント効果断面積を予測し,実際の応用シナリオにおける読出し故障確率を推定することが可能である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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