文献

J-GLOBAL ID：201802238180001966   整理番号：18A1905064

マイクロ波共振器の性能に及ぼす化学的およびプラズマ官能化の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Chemical and Plasma Functionalization on the Performance of Microwave Resonators

著者 (6件)： Lock Evgeniya H. (Materials Science and Technology Division, Naval Research Laboratory, Washington, DC, 20375) ,  Xu Peng (Laboratory of Physical Sciences, University of Maryland, College Park, MD, 20740) ,  Kohler Tim (Laboratory of Physical Sciences, University of Maryland, College Park, MD, 20740) ,  Rosen Yaniv (Laboratory of Physical Sciences, University of Maryland, College Park, MD, 20740) ,  Ramanayaka Aruna (Laboratory of Physical Sciences, University of Maryland, College Park, MD, 20740) ,  Osborn Kevin D. (Laboratory of Physical Sciences, University of Maryland, College Park, MD, 20740)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICOPS  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空誘電体界面における荷電トンネリング欠陥は超伝導量子計算における量子ビットに有害であることが知られている。本研究では,シリコーン表面上にSi-HおよびSi-Fを有するシロキサン官能基を置換するための化学的およびプラズマに基づく官能化戦略の両方を検討した。使用した化学物質はフッ化水素酸で,表面から残された全ての残留炭化水素とTiN上に堆積したアルミニウム不動態化層を除去した。Ar/SF_6,Ar/H_2,Ar/C_4F_8およびO_2環境でプラズマ機能化を行った。最良の結果は,Ar/SF_6における化学的およびプラズマ処理を組み合わせた後に得られた。800kのQ値を,12μm間隔と3μm線幅を有する25nmのTiN厚膜を用いて作製した素子に対して測定した。TiNおよびSi表面の化学的,構造的および形態的変化とQ因子の変化を相関させた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不動態化 ,  アルミニウム ,  Q値 ,  ケイ素 ,  トンネル効果 ,  誘電体 ,  *プラズマ ,  電荷 ,  炭化水素 ,  界面 ,  超伝導 ,  シロキサン ,  *官能化 ,  ポリシロキサン
準シソーラス用語： 官能基 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロ波共振器 ,  化学 ,  プラズマ ,  官能化