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J-GLOBAL ID：201802238498679750   整理番号：18A2040403

自己持続可能なiot応用のための0.20~0.25V,サブNW,レールツーレール,10ビットSAR ADC【JST・京大機械翻訳】

A 0.20-V to 0.25-V, Sub-nW, Rail-to-Rail, 10-bit SAR ADC for Self-Sustainable IoT Applications

著者 (2件)： Hong Hao-Chiao (National Chiao Tung University, Department of Electrical and Computer Engineering, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Chiu Yi (National Chiao Tung University, Department of Electrical and Computer Engineering, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISCAS  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.225Vの電源電圧(VDD)で動作し,自己持続可能なIoT応用のために0.2Vまで動作する10ビットSAR ADCを示した。サブ閾値領域で動作するMOSFETの温度依存性問題に対処するために,温度変化に対するコンパレータをバイアスするための超低VDD温度補償バイアス電流発生器を提案した。さらに,この設計はVDDにおけるコンパレータの正の入力端子を固定し,このような低いVDDにおいて十分な電圧ヘッドルームを持つコンパレータの入力トランジスタ対をバイアスする。低サンプリング速度での厳しい漏れ問題に対処するために,漏れ低減サンプリングスイッチで二重ブーストを提案した。試験チップを180nm CMOSで製作した。ADCコアはわずか0.024mm2を占めた。測定結果は,0.225Vにおいて,DNLとINLが,レールからレールへの入力範囲において,それぞれ+1.04/-0.66と+0.97/-1.04LSB以内であることを示した。Nyquist入力周波数による測定ピークSNDRは,450S/sと0.225Vにおいて49.8dBであった。全ADCは,回路漏れを含む0.225Vで0.85nWを完全に消費する。それは8.0fJ/凸のFoMに対応する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  スイッチ ,  *レール ,  温度補償 ,  電圧 ,  周波数 ,  凸形 ,  CMOS ,  コンパレータ ,  温度変動
準シソーラス用語： SNDR ,  バイアス電流 ,  サブ閾値 ,  電源電圧 ,  *レールツーレール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己 ,  IoT ,  応用 ,  サブ ,  レールツーレール ,  SAR ,  ADC