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J-GLOBAL ID:201802238775398663   整理番号:18A1513548

0.25μm GaN技術によるCバンドT/Rモジュール用単一MMIC受信機【JST・京大機械翻訳】

Single MMIC receivers for C-band T/R module in 0.25 μm GaN technology
著者 (7件):
資料名:
巻: 2018  号: PRIME  ページ: 201-204  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,限界関数を統合したMMIC LNAの2つの異なるバージョンを提示した。チップは,Leonardo鋳造により提供されるように,SiC技術上に0.25μmゲート長GaNで設計され,AESAシステムに対して特定のCバンドで動作するT/Rモジュールの受信回路を配置する。最終性能は,異なる方法で設計された2つの回路の差を示した。最初のバージョンでは,一定の不整合円法を適用したが,第二のバージョンでは,LNAsのための典型的な設計法を採用した。両回路は同じスイッチ(吸収SPST)を使用し,30dB以上のアイソレーションレベルと0.6dB以下の挿入損失を示した。最初のバージョンは,雑音指数2.2dB,利得35.5dB,および優れたレベルのリターン損失(入力に対して22dB,出力に対して23dB)をもつ広い動作帯域幅を示した。第二のバージョンは,入力と出力に対してそれぞれ22dBと20dBのリターン損失で,2.1dBの雑音指数,35.5dBの利得を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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