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J-GLOBAL ID：201802238794637547   整理番号：18A0446855

伝統的CMOS製造法と材料を用いた300mmシリコンフォトニクスの開発【Powered by NICT】

Developments in 300mm silicon photonics using traditional CMOS fabrication methods and materials

著者 (19件)： Baudot C. (Technology R&D, STMicroelectronics SAS, 850 rue Jean Monnet - 38920 Crolles France) ,  Douix M. (Technology R&D, STMicroelectronics SAS, 850 rue Jean Monnet - 38920 Crolles France) ,  Guerber S. (Technology R&D, STMicroelectronics SAS, 850 rue Jean Monnet - 38920 Crolles France) ,  Cremer S. (Technology R&D, STMicroelectronics SAS, 850 rue Jean Monnet - 38920 Crolles France) ,  Vulliet N. (Technology R&D, STMicroelectronics SAS, 850 rue Jean Monnet - 38920 Crolles France) ,  Planchot J. (Technology R&D, STMicroelectronics SAS, 850 rue Jean Monnet - 38920 Crolles France) ,  Blanc R. (Technology R&D, STMicroelectronics SAS, 850 rue Jean Monnet - 38920 Crolles France) ,  Babaud L. (Technology R&D, STMicroelectronics SAS, 850 rue Jean Monnet - 38920 Crolles France) ,  Alonso-Ramos C. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Universite ́ Paris Saclay - 91405 Orsay, France) ,  Benedikovich D. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Universite ́ Paris Saclay - 91405 Orsay, France) ,  Perez-Galacho D. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Universite ́ Paris Saclay - 91405 Orsay, France) ,  Messaoudene S. (Universite ́ Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Kerdiles S. (Universite ́ Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Acosta-Alba P. (Universite ́ Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Euvrard-Colnat C. (Universite ́ Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Cassan E. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Universite ́ Paris Saclay - 91405 Orsay, France) ,  Marris-Morini D. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Universite ́ Paris Saclay - 91405 Orsay, France) ,  Vivien L. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Universite ́ Paris Saclay - 91405 Orsay, France) ,  Boeuf F. (Technology R&D, STMicroelectronics SAS, 850 rue Jean Monnet - 38920 Crolles France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 34.3.1-34.3.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンフォトニクス技術プラットフォームは,誘導体生成物を生成し,同時にCMOSプラットフォームすなわちに関連する主な利点から利益を得ることを意図している:高収率,システムのロバスト性,製品の信頼性,大容量,低コスト生産。それにもかかわらず,同時革新的アプローチは同様に新しい解を開発するためにCMOSで利用可能な最新の製造方法とツールを利用し,良好なプラットフォームにデバイスを提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘導体化 ,  ロバスト性 ,  信頼性 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 大容量 ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  製造法 ,  シリコンフォトニクス ,  開発