文献

J-GLOBAL ID：201802238878446424   整理番号：18A1479662

Znのジュール加熱による非ドープ及びSn及びTbドープZnOナノワイヤの高速成長【JST・京大機械翻訳】

Fast growth of undoped and Sn- and Tb-doped ZnO nanowires by Joule heating of Zn

著者 (4件)： Urbieta Ana (Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de Madrid, Ciudad Universitaria, 28040, Madrid, Spain. [e-mail]) ,  Sanchez Victor ,  Fernandez Paloma ,  Piqueras Javier
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 20  号： 31  ページ： 4449-4454  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電流密度を流れることによるZnワイヤのJoule加熱を用いて,数十秒の短い時間,アンドープおよびSnまたはTbドープZnOナノワイヤを成長させた。加熱中の酸化スズ粉末と出発Znワイヤとの接触は,Snの触媒効果による分岐ZnOナノ構造の成長をもたらす。酸化テルビウムの存在下での成長処理は,ナノワイヤに付着したナノ粒子の複雑なZnO配列をもたらし,成長過程でZnOナノ粒子への少量のTbの取り込みによるTb3+遷移のルミネセンス発光を示した。他の熱ベース技術と比較して,ナノワイヤの急速成長に対する高電流密度に関連するエレクトロマイグレーションの寄与を議論した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *抵抗加熱 ,  *酸化亜鉛 ,  発光 ,  *ナノワイヤ ,  酸化スズ ,  *ドーピング ,  ルミネセンス ,  *スズ ,  ナノ粒子 ,  *亜鉛 ,  ナノ構造 ,  粉体 ,  *高速度 ,  *テルビウム ,  エレクトロマイグレーション

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： Zn ,  ジュール加熱 ,  ドープ ,  Sn ,  Tb ,  ZnOナノワイヤ ,  成長