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J-GLOBAL ID：201802239074964788   整理番号：18A1044409

比較書込方式を用いたSTT-MRAMベースのルックアップテーブル(LUT)におけるエネルギー効率の良い書き込み回路【JST・京大機械翻訳】

Energy-efficient write circuit in STT-MRAM based look-up table (LUT) using comparison write scheme

著者 (5件)： Lee Seungjin (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Yim Taegun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Lee Choongkeun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Cho Kyungseon (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Yoon Hongil (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISOCC  ページ： 288-289  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,いくつかのスピントルク転送磁気RAM(ST-MRAM)から構成されるLUTにおいて,書込み動作を実行するために必要なメモリを選択的に変化させる回路を提案した。STT-MRAM LUTに新しいデータを書き込むと,データが以前のものと等しいにもかかわらず,書込み操作が実行されるので不要なエネルギーが消費される。この問題を克服するために,比較書込み方式を提案した。64個のメモリセルを持つ6ビットLUTに基づいて,45個以下のデータを再び書き込むと,エネルギー消費は以前の回路よりも小さくなる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  磁気 ,  *ルックアップテーブル ,  *エネルギー効率 ,  エネルギー消費 ,  記憶装置
準シソーラス用語： スピントルク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 書込 ,  STT-MRAM ,  ルックアップテーブル ,  LUT ,  エネルギー効率 ,  書き込み回路