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J-GLOBAL ID：201802239075896510   整理番号：18A1699752

Al₂O₃不動態化アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの電気的特性に及ぼす原子層堆積温度の影響

Effect of Atomic Layer Deposition Temperature on the Electrical Characteristics of Al₂O₃-passivated Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors

著者 (6件)： CORSINO Dianne (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  BERMUNDO Juan Paolo (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  FUJII Mami N. (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  TAKAHASHI Kiyoshi (Nippon Aluminum Alkyls, Ltd.) ,  ISHIKAWA Yasuaki (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. of Sci. and Technol.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-234A-12  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  *不動態化 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *化合物半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  電気的性質 ,  *化学蒸着 ,  *温度
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  *酸化物半導体 ,  電気的特性 ,  *原子層堆積 ,  *成長温度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  不動態化 ,  アモルファス ,  トランジスタ ,  電気的特性 ,  原子層堆積