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J-GLOBAL ID：201802239087794983   整理番号：18A0207007

半導体表面薄膜の有効量子閉込め長とポーラロン研究【JST・京大機械翻訳】

Effective length of quantum confinement and polaron characteristics in semiconductor surface films

著者 (3件)： Li Hua (装甲兵工程学院基礎部,100072,北京) ,  Liu Bingcan (装甲兵工程学院基礎部,100072,北京) ,  Tian Qiang (北京師范大学物理学系,100875,北京)
資料名： Beijing Shifan Daxue Xuebao. Zirankexueban  (Beijing Shifan Daxue Xuebao. Zirankexueban)
巻： 53  号： 4  ページ： 395-398  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2594A  ISSN： 0476-0301  CODEN： BSDKDH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： A1xGa1xAs基板上のGaAs薄膜の量子閉込め長さを決定するために,提案した等価法を用いて,GaAs薄膜のフラクタル次元を決定した。さらに,AlxGa1-xAs基板上のGaAs薄膜のポーラロン特性を,フラクタル次元法により調べた。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  フラクタル次元 ,  *量子閉込め ,  *ポーラロン ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： *半導体表面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： effective length of quantum confinement ,  fractional-dimensional approach ,  polaron ,  GaAs film

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体表面 ,  薄膜 ,  量子閉込め ,  ポーラロン ,  研究