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J-GLOBAL ID:201802239124562661   整理番号:18A1028589

高効率シリコン太陽電池のための制限された接合面積による増強されたV_OCの経験的およびQuokkaシミュレーション証拠【JST・京大機械翻訳】

Empirical and Quokka simulated evidence for enhanced VOc due to limited junction area for high efficiency silicon solar cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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限られたp-n接合面積と点Al後部接触を用いた高効率シリコン太陽電池の新しい設計を提案した。本研究では,異なるエミッタ面積と間隔を持つ平面試験装置を作製し,制限された接合面積(LIA)設計が良く設計されたセル構造に対するV_OCを改善できることを実証した。作製中の中間寿命とPL測定は,ロバストな表面不動態化スキームを有するLIA試料において,より低い暗飽和電流(I_0)とより高い意味のあるV_OC(iV_OC)を確認した。より高いV_OCと効率を,全面積エミッタ制御サンプルと比較して,いくつかのLIAデバイス上でQuokkaによりシミュレートした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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