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J-GLOBAL ID:201802239142923326   整理番号:18A1210451

CMOS-MEMSセンサと差動GRO回路の新しい集積チップに関する研究【JST・京大機械翻訳】

Research on a novel integration chip of CMOS-MEMS sensor and differential GRO circuit
著者 (2件):
資料名:
巻: 2018  号: ICASI  ページ: 235-238  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,CMOS-MEMSセンサの差動信号のための新しい高分解能電圧-周波数変換器と測定システムを提案した。高分解能変換の実現可能性を検証するために,四分対称構造を持つ二次元熱電流センサを,TSMCの2P4M0.35μm CMOS-MEMSプロセスを用いて作製した。測定回路を,CMOS-MEMSセンサの出力電圧を周波数信号に変換するために,ゲートリング発振器(GRO)構造を用いて設計した。差動型信号では,2つの信号の各出力を2つのGROに送り,各リングは小さな差で対応する振動周波数を与える。ヘテロダイン変換アーキテクチャに基づいて,低域フィルタの後,混合高周波信号の出力は変換の高精度分解能で低周波数を与える。従来の複雑なアナログ信号処理回路を超えて,提案したコンバータと測定システムはCMOS-MEMSセンサの応用のためのより高い分解能の高集積化に到達するための新しいアプローチを与える。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
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