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J-GLOBAL ID：201802239218971425   整理番号：18A2029295

高性能歪ゲルマニウムナノワイヤPFETの深さ研究【JST・京大機械翻訳】

An In-depth Study of High-Performing Strained Germanium Nanowires pFETs

著者 (21件)： Mitard J. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Jang D. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Eneman G. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Arimura H. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Parvais B. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Richard O. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Van Marcke P. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Witters L. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Capogreco E. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Bender H. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Ritzenthaler R. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Mertens H. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Hikavyy A. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Loo R. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Dekkers H. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Sebaai F. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Milenin A. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Horiguchi N. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Mocuta A. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Mocuta D. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium) ,  Collaert N. (IMEC, Leuven, 3001, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSI Technology  ページ： 83-84  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ディジタルおよびアナログ応用のためのスケール化ナノワイヤGe pFETの詳細な研究を提案した。素子性能に関するHPAの良い理解を得た後に,改善された素子特性が最初に得られた。最良のSi GAA nFETと類似のIDと比較すると,最高45%のID,SATがI_OFF=3nA/フィンで得られ,-0.5V_DDでの14/16nm pFinFET技術にベンチマーキングするとき,SATが見られた。I_D,SATの温度依存性研究は,短チャネルにおけるGe中の輸送を制限する機構が純粋に拡散性も完全にもバリスティックではないことを強調した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アナログ系 ,  温度依存性 ,  *ナノワイヤ ,  フィン ,  ディジタル方式 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 短チャネル ,  ベンチマーキング ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  歪 ,  ゲルマニウム ,  ナノワイヤ ,  研究