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J-GLOBAL ID：201802239240198489   整理番号：18A1954886

Au/ZnO/n-Si構造の誘電特性,電気係数および電流輸送機構【JST・京大機械翻訳】

Dielectric properties, electrical modulus and current transport mechanisms of Au/ZnO/n-Si structures

著者 (3件)： Yosef Badali (DEPARTMENT OF ADVANCED TECHNOLOGIES, INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, GAZI UNIVERSITY, 06500 ANKARA, TURKEY) ,  emsettin Alt?ndal (DEPARTMENT OF PHYSICS, FACULTY OF SCIENCE, GAZI UNIVERSITY, TEKNIKOKULLAR, 06500 ANKARA, TURKEY) ,  brahim Uslu (DEPARTMENT OF CHEMISTRY EDUCATION, FACULTY OF EDUCATION, GAZI UNIVERSITY, ANKARA 06500, TURKEY)
資料名： Progress in Natural Science: Materials International  (Progress in Natural Science: Materials International)
巻： 28  号： 3  ページ： 325-331  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0407A  ISSN： 1002-0071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFスパッタリング法を用いてAu/ZnO/n-Si(MIS)構造を作製し,それらの複素誘電率(ε*=ε′-jε′),電気弾性率(M*=M′+jM′)および電気伝導率(σ=σdc+σac)値を,伝導機構およびAuとn-Si間の障壁高さの形成に関するより多くの情報を得るために,周波数(0.7kHz-1MHz)および電圧(6-(+6V))の関数として調べた。lnσ-Lnfプロットは,低い中間と高い周波数に対応する2つの異なる領域を持つ。Inσ//LNFプロットのこのような挙動は,低中間および高周波数における二つの異なる伝導機構(CMs)の存在を示している。さらに,逆バイアス飽和電流(Io),理想因子(n),障壁高さ(ΦBo)を順方向バイアスI-Vデータから決定し,それらを温度の強い関数として見出した。特に低温でのnの値は1よりかなり高い。ΦB0の値と標準偏差(σs)は,ΦBo-q/2kTプロットの切片と傾斜から,それぞれ,領域I(80~220K)で0.551eVと0.075V,領域II(220~400K)で1.126eVと0.053Vであることが分かった。ΦBoと有効Richardson定数(A*)の値は,領域Iでは0.564eVと101.084Acm’2K’2,領域IIではそれぞれ1.136eVと41.87Acm’2K’2として,活性化エネルギープロットの傾斜と切片から見出された。これらの結果は,作製したAu/ZnO/n-Si SBDの電流-電圧-温度(I-V-T)特性がBHsの二重GDによるTE理論に基づいて満足に説明できることを確認した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  活性化エネルギー ,  電圧 ,  電気伝導率 ,  *電流 ,  *金 ,  複素誘電率 ,  バイアス ,  *誘電性 ,  周波数 ,  RFスパッタリング
準シソーラス用語： 理想因子 ,  逆バイアス ,  障壁高さ ,  伝導機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 魚類  (FH02020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  ZnO ,  誘電特性 ,  係数 ,  電流輸送