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J-GLOBAL ID:201802239468429101   整理番号:18A2029287

メモリからセンサへ:ReRAM技術に基づく超低電力高選択性水素センサ【JST・京大機械翻訳】

From Memory to Sensor: ultra-Low Power and High Selectivity Hydrogen Sensor Based on ReRAM Technology
著者 (10件):
資料名:
巻: 2018  号: VLSI Technology  ページ: 63-64  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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最適化した0.18μm ReRAMプロセスを用いて新しい水素センサを作製した。著者らのReHセンサ(抵抗性水素センサ)は,空気とN_2雰囲気中で高感度,広い水素濃度範囲(最大4vol%),高いガス選択性(CH_4,CO,CO_2,CH_3OH,CH_3COCH_3との反応なし)を含むISO26142標準と一致し,SO_2とヘキサメチルジシロキサン(HMDS)による中毒に対して免疫性である。ヒータを必要としないので,ReHセンサの電力消費は0.35mWで非常に低い。この水素センサ装置を用いて,IoT応用のための電池給電全インワン無線水素センサユニットを開発した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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図形・画像処理一般  ,  医用画像処理  ,  NMR一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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