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J-GLOBAL ID：201802239654663693   整理番号：18A0154121

ペロブスカイト半導体CsPbBr_3の合成と単結晶成長【Powered by NICT】

Synthesis and single crystal growth of perovskite semiconductor CsPbBr₃

著者 (9件)： Zhang Mingzhi (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, PR China) ,  Zheng Zhiping (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, PR China) ,  Fu Qiuyun (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, PR China) ,  Fu Qiuyun (State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, PR China) ,  Chen Zheng (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, PR China) ,  He Jianle (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, PR China) ,  Zhang Sen (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, PR China) ,  Chen Cheng (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, PR China) ,  Luo Wei (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, PR China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 484  ページ： 37-42  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全無機ハロゲン化鉛ペロブスカイトの典型的な代表として,セシウム鉛臭素(CsPbBr_3)は,近年,大きな注目を集めている。直接バンドギャップ半導体CsPbBr_3は2.25eVの広いバンドギャップと高平均原子番号(Cs:55,Pb:82及びBr:35),X線及びγ線放射の検出のための要件の大部分を満たすを持ち,高減衰,高抵抗率,および顕著な光伝導応答である。しかし,大容量CsPbBr_3単結晶の成長は困難なままである。本論文では,化学的共沈法によりCsPbBr_3多結晶粉末の合成を調べ,最適合成条件を得た。直径8mm,長さ60mmの大きなCsPbBr_3単結晶は,創造的電子動的勾配(EDG)法によって得た。X線回折(XRD)パターン及びX線ロッキングカーブはCsPbBr_3結晶は(110)方向に優先的に配向した結晶中の低転位密度と小さな残留応力を持っていたことを示した。IRおよびUV-Vis透過率と温度依存光ルミネセンス(PL)スペクトルは,結晶が良好な基本的な光学性能を持つことを示した。ほとんど線形な電流-電圧(I V)曲線は,電極と結晶表面の間の良好なOhm接触を示唆した。結晶の抵抗率は10~9 10~10Ωcmと計算された。上記の結果は,得られた結晶の品質は,オプトエレクトロニクス応用の需要に合致したことを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶 ,  *半導体 ,  Ohm接触 ,  光ルミネセンス ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  光伝導 ,  X線 ,  透過率 ,  *単結晶 ,  バンドギャップ ,  オプトエレクトロニクス ,  光学的性質 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性

著者キーワード (4件)： 全無機ハロゲン化鉛ペロブスカイト ,  セシウム鉛臭素(CsPbBr_3) ,  結晶成長 ,  オプトエレクトロニクス応用

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： ペロブスカイト ,  単結晶成長