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J-GLOBAL ID：201802239661467758   整理番号：18A1439445

AサイトSmドーピングが0.93Na0.5Bi0.5TiO3-0.07BaTiO3セラミックの微細構造と電気的性質に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of A-site Sm Doping on Structural and Electrical Property of 0.93Na0.5Bi0.5TiO3-0.07BaTiO3Lead Free Ceramics

著者 (6件)： Dou Runpu (桂林電子科技大学 材料科学与工程学院 ,桂林,541004) ,  Lu Xiaopeng (桂林電子科技大学 材料科学与工程学院 ,桂林,541004) ,  Yang Ling (桂林電子科技大学 材料科学与工程学院 , 桂林 541004;桂林電子科技大学 广西信息材料重点実験室, 桂林 541004) ,  Wang Hua (桂林電子科技大学 材料科学与工程学院 , 桂林 541004;桂林電子科技大学 广西信息材料重点実験室, 桂林 541004) ,  Zhou Changrong (桂林電子科技大学 材料科学与工程学院 , 桂林 541004;桂林電子科技大学 广西信息材料重点実験室, 桂林 541004) ,  Xu Jiwen (桂林電子科技大学 材料科学与工程学院 , 桂林 541004;桂林電子科技大学 广西信息材料重点実験室, 桂林 541004)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 33  号： 5  ページ： 528-534  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 固相反応焼結法により,Smドープ[(Na0.5Bi0.5)0.93Ba0.07]1-xSmxTiO3(BNBST)無鉛誘電エネルギー貯蔵セラミックを調製した。BNBSTセラミックの相構造,微細構造,強誘電,エネルギー貯蔵,および直流コンダクタンスに及ぼすSmドーピング含有量の影響を研究した。その結果,次のことが分かった。調製したセラミックサンプルは,単一ペロブスカイト構造を持ち,そして,(Na0.5Bi0.5)0.93Ba0.07TiO3基材の格子Aサイトに,Smをドーピングした。粒成長はSmドーピングによって抑制され,平均粒径は2μmで,均一で緻密であった。Smドーピングは残留分極と抗電場を著しく減少させ,二重ヒステリシスループ特性を示し,飽和分極もわずかに減少した。Smドーピング量が増加すると,エネルギー密度と効率は最初増加し,次いで減少し,x=0.02と70kV/cmの電場で0.70J/cm3の最大エネルギー密度が得られた。その効率は40%である。BNBSTセラミックは明らかな緩和強誘電体特性を有し,その誘電率ピークTmはドーピング量の増加とともに減少し平坦化している。BNBSTセラミックの絶縁性は,300°C以下で良好な絶縁性を示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  *セラミック ,  エネルギー密度 ,  コンダクタンス ,  *ドーピング ,  緩和現象 ,  残留分極 ,  エネルギー貯蔵 ,  *サマリウム ,  強誘電体 ,  固相 ,  *微細構造 ,  誘電率 ,  抗電場
準シソーラス用語： ヒステリシスループ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： BNT-BT ,  Sm doping ,  energy storage ,  ferroelectric

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Sm ,  ドーピング ,  セラミック ,  微細構造 ,  電気的性質