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J-GLOBAL ID：201802239897635853   整理番号：18A1208252

高逆バイアス電圧下のGaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果【JST・京大機械翻訳】

Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diode under high reverse bias voltage

著者 (8件)： Maeda Takuya (Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Narita Tetsuo (Toyota Central R&D Labs., Inc., Nagakute, Aichi 480-1118, Japan) ,  Kanechika Masakazu (Toyota Central R&D Labs., Inc., Nagakute, Aichi 480-1118, Japan) ,  Uesugi Tsutomu (Toyota Central R&D Labs., Inc., Nagakute, Aichi 480-1118, Japan) ,  Kachi Tetsu (Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Horita Masahiro (Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Suda Jun (Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 25  ページ： 252104-252104-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Franz-Keldysh効果によるサブバンドギャップ光吸収によって誘起された光電流は,高い逆バイアス電圧の下で,GaN p-n接合ダイオードにおいて観測された。光電流は逆バイアス電圧と共に増加し,波長がGaNの吸収端に近づくにつれてより顕著になることが分かった。光電流を,空乏層におけるFranz-Keldysh効果により誘起された光吸収を考慮して計算した。計算曲線は実験曲線と優れた一致を示した。光電流も温度上昇と共に増加し,これは温度上昇に伴うGaN吸収端の赤方偏移により定量的に説明できた。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤方偏移 ,  *Franz-Keldysh効果 ,  空乏層 ,  *窒化ガリウム ,  吸収端 ,  波長 ,  光吸収 ,  光電流 ,  昇温 ,  *接合ダイオード
準シソーラス用語： サブバンドギャップ ,  *バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイアス電圧 ,  GaN ,  p-n接合 ,  ダイオード ,  Franz-Keldysh効果