抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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22FDXTMは完全に空乏化したシリコン上の絶縁体(FDSOI)に基づくGLOBALFOUNDRIESからの新しい技術である。そのトランジスタアーキテクチャは体酸化物の頂部上の半導体材料の薄層から構成されている。トップ側では,平面先端MOSトランジスタが形成された。底から,井戸は体酸化物を通した静電影響は高性能と低漏れ電流運転の間のトランジスタしきい値電圧をシフトさせるのに十分な大きさを持っている。チュートリアルでは,技術への導入を与え,GLOBALFOUNDRIES,22fdxのために開発されたからのディジタル設計基準流を示した。特に,バックゲートバイアスを用いた低電力設計のためのFDSOIをどのように利用するかについて示した。,設計例を示し,結果を考察した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】