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J-GLOBAL ID：201802239949783657   整理番号：18A1085739

ポータブル電子機器用無鉛圧電スピーカの開発【JST・京大機械翻訳】

Development of the Lead-Free Piezoelectric Speakers for Portable Electric Devices

著者 (6件)： Li Hui (黄河科技学院信息工程学院,鄭州,450006) ,  Wang Ning (黄河科技学院信息工程学院,鄭州,450006) ,  Wang Bo (黄河科技学院信息工程学院,鄭州,450006) ,  Hu Dongyang (黄河科技学院信息工程学院,鄭州,450006) ,  Feng Kunpeng (黄河科技学院信息工程学院,鄭州,450006) ,  Zhang Yangyang (黄河科技学院信息工程学院,鄭州,450006)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 46  号： 12  ページ： 2491-2496  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： スクリーン印刷法によりPt電極を有するAl2O3基板上にBaTiO3(BT)ドープBi0.5(Na0.82K0.18)0を調製した。研究により、(1-x)BNKT-xBaTiO3厚膜系の準同型相境界(MPB)は3mol%<x<7mol%であり、BTのドーピング量が5mol%の時、次のことが分かった。.....xxBNKT-xBaTiO3厚膜系の準同型相境界(MPB)は3mol%<x<7mol%である。厚膜の誘電,圧電,および強誘電特性は,誘電率εr=793,圧電定数d33=72pC/N,および残留分極強度Pr=4.35μC/cm2であった。歪値は0.817%に達したが,同時に5mol%のBTドーピングにより,厚膜の誘電損失tanδは1.1%から6.2%に増加し,保磁力場ECは35であった。77kV/cmから53.72kV/cmに増加し,最後に,95BNKT-5BT圧電厚膜をスピーカ振動膜に製作し,駆動回路を設計した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電損失 ,  チタン酸バリウム ,  強誘電性 ,  *圧電気 ,  ドーピング ,  白金 ,  *スピーカ ,  残留分極 ,  厚膜 ,  相境界 ,  保磁力 ,  損失正接 ,  スクリーン印刷 ,  誘電率
準シソーラス用語： 圧電定数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： lead-free piezoelectric thick film ,  ferroelectric property ,  BNKT ,  lead-free piezoelectric speaker

分類 (3件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： ポータブル電子機器 ,  圧電スピーカ ,  開発