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J-GLOBAL ID：201802240074185135   整理番号：18A0095129

InGaAs/InP単光子アバランシェフォトダイオードInPトップ層ドーピング研究【JST・京大機械翻訳】

InP cap layer doping density in InGaAs/InP single-photon avalanche diode

著者 (8件)： Li Bin (中国電子科技集団公司第四十四研究所化合物半導体光電子事業部,重慶,400060) ,  Chen Wei (中国電子科技集団公司第四十四研究所化合物半導体光電子事業部,重慶,400060) ,  Huang Xiaofeng (中国電子科技集団公司第四十四研究所化合物半導体光電子事業部,重慶,400060) ,  Chi Dianxin (中国電子科技集団公司第四十四研究所化合物半導体光電子事業部,重慶,400060) ,  Yao Keming (中国電子科技集団公司第四十四研究所化合物半導体光電子事業部,重慶,400060) ,  Wang Xi (中国電子科技集団公司第四十四研究所化合物半導体光電子事業部,重慶,400060) ,  Chai Songgang (中国電子科技集団公司第四十四研究所化合物半導体光電子事業部,重慶,400060) ,  Gao Xinjiang (中国電子科技集団公司第四十四研究所化合物半導体光電子事業部,重慶,400060)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 36  号： 4  ページ： 420-424  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 理論的計算と比較実験により,InGaP/InP単光子アバランシェフォトダイオード中のInPトップ層のドーピング濃度がデバイス性能に及ぼす影響を研究した。理論結果により、InPトップ層のドーピング濃度が低いほど、エッジ破壊を抑制し、トンネルの暗キャリア発生速度を低下させ、アバランシェ破壊確率を向上させることができることが分かった。トップ層の非意図的ドーピングによるデバイスは223Kで20%の単一光子検出効率と1kHzの暗計数率を獲得し、その単一光子検出効率はトップ層ドーピング濃度が5×1015/cm3のデバイスより3%~8%高く、暗計数率は1桁低い。結果により、InPトップ層のドーピング濃度を下げることにより、デバイスの性能を向上させることができることが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *リン化インジウム ,  *光子 ,  キャリア生成 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  比較試験 ,  破壊確率
準シソーラス用語： 暗計数率 ,  単一光子検出 ,  InGaP ,  *ドーピング【薬】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaAs/InP ,  single-photon avalanche diode ,  cap layer ,  doping density

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  InP ,  光子 ,  アバランシェフォトダイオード ,  トップ層 ,  ドーピング ,  研究