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J-GLOBAL ID:201802240247152824   整理番号:18A1507041

n-ZnOナノワイヤ/p-ダイヤモンドヘテロ接合の電気輸送特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved electrical transport properties of an n-ZnO nanowire/p-diamond heterojunction
著者 (9件):
資料名:
巻:号: 50  ページ: 28804-28809  発行年: 2018年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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n-ZnOナノワイヤ(NW)/p-Bドープダイヤモンド(BDD)のヘテロ接合を作製した。整流挙動は,低い値(0.8V)の電圧でのターンで観察された。5Vでの順方向電流は,より大きな直径のn-ZnOナノロッド(NR)/p-BDDヘテロ接合のそれより12倍高い。n-ZnO NW/p-BDDとn-ZnO NR/p-BDDヘテロ接合の比較のための電気輸送挙動を種々のバイアス電圧で調べた。ZnO NW/BDDのキャリア注入プロセス機構を,提案した平衡エネルギーバンドダイアグラムに基づいて解析した。ZnO NW/BDDヘテロ接合は,電気輸送特性に対して,改善されたI-V特性と比較的高い性能を示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
タイトルに関連する用語 (4件):
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