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J-GLOBAL ID：201802240271316227   整理番号：18A1099075

InGaN/Siヘテロ接合太陽電池の性能に対するSi基板ドーピング濃度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Si Substrate Doping on the Performances of InGaN/Si Heterojunction Solar Cells

著者 (10件)： Tang Zimei (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004) ,  Lu Jiao (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004) ,  Liu Yulun (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004) ,  Weng Yao (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004) ,  Lu Shanshan (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004) ,  Mo Zukang (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004) ,  Xie Wulin (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004) ,  He Huan (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004) ,  Fu Yuechun (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004) ,  Chen Xiaoming (广西大学資源環境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点実験室,广西南寧 530004)
資料名： Guangxi Kexue  (Guangxi Kexue)
巻： 24  号： 6  ページ： 561-567  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3211A  ISSN： 1005-9164  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： [目的]InGaN/Siヘテロ接合太陽電池の性能に対するp-Si基板のドーピング濃度の影響を調べ,高効率太陽電池のための理論的基礎を提供した。[方法]デバイスのn-InGaNドーピング濃度を1016cm-3に固定し,p-Si基板ドーピング濃度NAを変えた。[結果]ドーピング濃度NAの上昇に伴い、電池の電流密度JSCとフィルファクタFFは上昇し、一定の高いドーピング濃度範囲に達した(NA>5。開路電圧VOCと光電変換効率Efはドーピング濃度の大小と正の相関関係があり、NAの増大に伴い、VOC、Efはゆっくりと増大した。[結論]高ドーピング濃度の太陽電池は良好な光電変換効率を示した。低ドーピング濃度の太陽電池の光電変換効率は低く、これは対応するピーク障壁の高さと幅が大きく、光生成キャリアの輸送に影響するためである。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *太陽電池 ,  光生成 ,  *電池 ,  電流密度 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  光電変換効率 ,  開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  高効率 ,  *シリコンウエハ ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： heterojunction ,  InGaN films ,  solar cells ,  AMPS-1D

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  Si基板 ,  ドーピング