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J-GLOBAL ID：201802240342444070   整理番号：18A0706616

CMOSイメージセンサ画素における同時イメージングとエネルギー収穫【JST・京大機械翻訳】

Simultaneous Imaging and Energy Harvesting in CMOS Image Sensor Pixels

著者 (4件)： Park Sung-Yun (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS2), The University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Lee Kyuseok (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS2), The University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Song Hyunsoo (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS2), The University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Yoon Euisik (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS2), The University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 4  ページ： 532-535  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 付加的面内p-n接合を導入することなく,同時イメージングとエネルギー収集が可能なプロトタイプCMOS能動画素を示した。プロトタイプ画素は,標準CMOSプロセスで利用可能な垂直p+/n_井戸/p_サブ接合を用いた。従来のCMOS電子ベースのイメージング画素とは異なり,n_well領域を画像捕捉のためのセンシングノードとして用いるが,著者らは全体ベースの画像技術を採用し,一方,>94%の高い充填率でエネルギー収穫のためのn_well領域を利用した。実現可能性を検証するために,CMOSイメージセンサを製作し,特性化した。エネルギー収穫は998pW/klux/mm2の電力密度で達成でき,一方,74.67pJ/ピクセルで画像を捕捉できることを実証した。作製したプロトタイプデバイスは,最近の最先端の研究の中で最高の電力密度を達成し,約60kluxの照明を超える外部電源なしで,15fpsでの画像捕捉動作を自己維持できる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プロトタイプ ,  キャラクタリゼーション ,  *CMOS ,  画像技術 ,  *画像処理 ,  接合 ,  画像 ,  捕獲 ,  *画素
準シソーラス用語： 電力密度 ,  充填率 ,  CMOSプロセス ,  *エネルギーハーベスティング ,  *CMOSイメージセンサ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  撮像・録画装置  (ND12032E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOSイメージセンサ ,  画素 ,  イメージング ,  エネルギー収穫