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J-GLOBAL ID：201802240349993296   整理番号：18A1910464

メモリ,トランジスタおよび人工シナプスのための有機-無機ハイブリッドハライドペロブスカイト【JST・京大機械翻訳】

Organic-Inorganic Hybrid Halide Perovskites for Memories, Transistors, and Artificial Synapses

著者 (5件)： Choi Jaeho (Department of Materials Science and Engineering, Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Han Ji Su (Department of Materials Science and Engineering, Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Hong Kootak (Department of Materials Science and Engineering, Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Soo Young (School of Chemical Engineering and Materials Science, Chung-Ang University, Seoul, 06974, Republic of Korea) ,  Jang Ho Won (Department of Materials Science and Engineering, Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 42  ページ： e1704002  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の半導体および金属酸化物では見られないハロゲン化物ペロブスカイト(HP)の魅力的な特性は,太陽電池,光検出器および発光ダイオードなどのオプトエレクトロニクスを超えた電子デバイスへのHPの応用を促進している。ここでは,抵抗スイッチングメモリ(すなわち,抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)またはメムリスタ),トランジスタ,および人工シナプスのようなHPベースのメモリおよび論理デバイスにおける最近の進歩についてレビューした。それらは,HPsの本質的にエキゾチックな特性に焦点を合わせている。すなわち,容易な大多数キャリア制御,iii)高速イオン移動,およびiv)超柔軟性である。溶液ベースの方法から真空プロセスへのHP薄膜の種々の作製技術を紹介した。HPsの組成的柔軟性を強調する,この分野での最新の研究は,HPが次世代電子デバイスの有望な候補であることを示唆している。それらの独特の電気的性質,低コストおよび低温合成,および組成と機械的柔軟性の利点を利用して,HPsは将来の電子デバイスのための新しいプラットフォームを提供する大きな可能性を有し,爆発的に集中的な研究は,従来のシリコンベースの半導体を超えた新しいHP材料の発見の道を開き,「More-than-Moore」時間を維持する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  *記憶装置 ,  柔軟性 ,  *有機-無機ハイブリッド ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  論理素子 ,  薄膜 ,  *ハロゲン化物 ,  太陽電池 ,  *シナプス ,  オプトエレクトロニクス ,  ケイ素
準シソーラス用語： メモリスタ ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 人工シナプス ,  ハロゲン化物ペロブスカイト ,  イオン移動 ,  記憶 ,  トランジスタ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (4件)： トランジスタ ,  人工 ,  シナプス ,  有機-無機ハイブリッド