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J-GLOBAL ID:201802240387215886   整理番号:18A1903724

TFSA含有高分子マトリックスによるシリコン導波路上のグラフェンの局在化光学品質ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Localized optical-quality doping of graphene on silicon waveguides through a TFSA-containing polymer matrix
著者 (13件):
資料名:
巻:号: 40  ページ: 10739-10750  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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光およびフォトニック応用におけるグラフェンの使用は,近年多くの注目を集めている。グラフェンの異常な光学特性の開発を最大にするためには,そのFermi準位(例えば,化学ドーピングによる)の正確な制御が極めて重要である。本研究では,活性なp-ドーパント分子として機能するビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド(TFSA)のポリ(2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタクリレート(POFPMA)ポリマーマトリックスへの組み込みに基づく汎用pドーピング戦略の利用を示した。TFSA/POFPMAドーパントは,スピンコーティングにより大きなサイズのグラフェン領域と,局所化インクジェット印刷によるマイクロメートル次元の小さな事前定義空間ゾーンの両方に利用できる。純粋なTFSAは,環境不安定性と組み合わせたクラスタ化層堆積に悩まされるが,POFPMA高分子マトリックスの応用は,純粋なTFSAの既存の欠点に対抗する優れた特性を明らかにするドーピング層をもたらす。第一の重要な発見はドーパント層の光学的品質に関連する。極端に低い表面粗さ(0.4~0.8nm/25μm~2)を持つ層を得たが,500~1900nmの波長範囲で非常に高い透明度(吸光度<0.05%)を示し,数週間(インクジェット印刷堆積)と月(スピン被覆蒸着)までの時間の関数として強いドーピング安定性を示した。最後に,ドーピング効率は非常に高く,約+4×10~13cm-2のキャリア密度に達したが,グラフェン被覆Si導波路の光透過は,インクジェット印刷によるドーパントの堆積後,強い改善(1550nmの波長で4.22dB透過増加)を明らかにした。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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