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J-GLOBAL ID：201802240435672700   整理番号：18A1767963

メソポーラス材料上の酸化物膜の成長のサブ単分子層制御【JST・京大機械翻訳】

Sub-monolayer control of the growth of oxide films on mesoporous materials

著者 (4件)： Weng Zhihuan (Department of Chemistry and UCR Center for Catalysis, University of California, Riverside, CA 92521, USA. [e-mail]) ,  Chen Zhi-hui ,  Qin Xiangdong ,  Zaera Francisco
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 6  号： 36  ページ： 17548-17558  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 制御された方法でメソ多孔性材料の内部表面上に良質な酸化物膜を堆積する方法として原子層堆積(ALD)の使用を,SBA-15,MCM-41およびFDU-12材料とAl_2O_3,TiO_2およびSiO_2膜を有する球状メソ多孔性シリカ粒子(SMSP)を組み合わせて調べた。堆積過程を特性化する方法として,N_2吸着-脱着等温線を用いるために,これらの材料の大部分において細孔の明確な性質を利用した。細孔の平均サイズは用いたALDサイクル数(新しく堆積した層のため)で単調に減少するが,それらのサイズ分布は元の試料のように狭いままであり,層毎に表面の被覆率に対して試験することを観測した。これは透過型電子顕微鏡によってさらに確認された。細孔容積と表面積の追加測定を用いてALDプロセスの有効性をさらに評価した。各ALDサイクルの間の前駆体への固体の過剰曝露は,細孔の底部での凝縮とその後の細孔閉塞をもたらし,一方,不十分な線量は表面の完全被覆を防止し,露出した細孔の背面に元のシリカを残すことが分かった。これらの問題はプロセスパラメータを調整することによって最小化できるが,MCM-41やSMSPのような小細孔試料でより急性になる。小さい窓(FDU-12)を介して結合した大きな孔を持つ試料では,膜成長は窓のサイズに影響することなく細孔内で起こる。最後に,酸化ケイ素膜の堆積は他の酸化物のそれよりはるかに遅いが,改良実験装置を用いて達成できる。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  脱着 ,  表面積 ,  被覆 ,  二酸化ケイ素 ,  閉塞 ,  前駆体 ,  薄膜成長 ,  *細孔 ,  キャラクタリゼーション ,  透過型電子顕微鏡 ,  MCM-41 ,  等温線
準シソーラス用語： 細孔容積 ,  *メソポーラス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  静電機器  (NB10020R) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (5件)： メソポーラス材料 ,  酸化物膜 ,  成長 ,  サブ ,  単分子層