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J-GLOBAL ID：201802240572996272   整理番号：18A2042312

キャリア寿命向上プロセスによる4H-SiC p-GTOサイリスタのブロッキング性能改善【JST・京大機械翻訳】

Blocking Performance Improvements for 4H-SiC P-GTO Thyristors with Carrier Lifetime Enhancement Processes

著者 (20件)： Ryu Sei Hyung (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Lichtenwalner Daniel J. (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  O’Loughlin Michael (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  van Brunt Edward (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Capell Craig (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Jonas Charlotte (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Lemma Yemane (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Zhang Jon Q. (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 E Cornwallis Road, Research Triangle Park, USA, 27709) ,  Richmond Jim (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Burk Albert (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Hull Brett (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  McCain Matthew (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Sabri Shadi (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  O’Brien Heather (U.S. Army Research Laboratory; 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, USA, 20783) ,  Ogunniyi Aderinto (U.S. Army Research Laboratory; 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, USA, 20783) ,  Lelis Aivars J. (U.S. Army Research Laboratory; 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, USA, 20783) ,  Casady Jeff (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Grider Dave (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Allen Scott (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709) ,  Palmour John W. (Wolfspeed, A Cree Company; 3028 East Cornwallis Road, RTP, USA, 27709)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 633-636  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC p-GTOに対する1450°Cの寿命増強酸化に関連する漏れ電流の増加とブロッキング電圧の減少についての研究を示した。SiO_2の局所結晶化による4H-SiC表面の粗面化または高温酸化中の結晶化ホウ素形成がこの問題の主要原因の一つとして同定された。非晶質SiO_2と結晶質の間のO_2への透過性における30の差異の因子は,不均一な酸化を引き起こして,それは著しい粗さをもたらした。この粗さは,ゲートとドリフト層の間の冶金接合に置かれており,そこではE場が最大であり,早期の絶縁破壊特性の原因であると信じられている。この問題を軽減するために,この粗さをデバイスの低いE場領域に移動させる2ステップ寿命増強プロセスを導入した。2ステップ寿命増強プロセスを有する15kV 4H-SiC p-GTOは,ブロッキング特性に影響を与えることなく,1300°C酸化デバイス上でのV_Fの顕著な減少を示した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶化 ,  ホウ素 ,  冶金 ,  酸化 ,  粗面 ,  ドリフト ,  *ブロッキング ,  結晶 ,  電圧 ,  絶縁破壊 ,  *サイリスタ ,  接合 ,  漏れ電流 ,  *キャリア寿命
準シソーラス用語： *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ブロッキング電圧 ,  キャリア寿命 ,  サイリスタ ,  GTO ,  高電圧

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  サイリスタ  (NC03060C)

タイトルに関連する用語 (7件)： キャリア寿命 ,  プロセス ,  4H-SiC ,  GTO ,  サイリスタ ,  ブロッキング ,  性能改善