超常磁性トンネル接合によるTrulyランダムビット生成の回路レベル評価【JST・京大機械翻訳】

Vodenicarevic Damir; Locatelli Nicolas; Mizrahi Alice; Hirtzlin Tifenn; Friedman Joseph S.; Grollier Julie; Querlioz Damien

文献

J-GLOBAL ID：201802240576415141 整理番号：18A2040501

超常磁性トンネル接合によるTrulyランダムビット生成の回路レベル評価【JST・京大機械翻訳】

Circuit-Level Evaluation of the Generation of Truly Random Bits with Superparamagnetic Tunnel Junctions

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資料名：
巻： 2018 号： ISCAS ページ： 1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

計算の多くの新しい代替モデルは大量のランダムビットを必要とするが,低エネルギーでのそれらの生成は現在挑戦的である。超常磁性トンネル接合,スピントルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリと同じ技術に基づくスピントロニクスデバイスは,このデバイスが熱雑音のみにより抵抗状態を容易に測定する二つの容易な間を自然にスイッチするので,最近提案されている。接合部の状態を読むことは,書込み操作の必要なしに,ランダムビットを自然に提供する。本研究では,超常磁性トンネル接合の状態を読み出すための回路解を評価した。著者らは,この回路がスケールした超常磁性トンネル接合に対して小さい読取妨害効果を誘起する可能性があるが,この効果は発生したランダムビットの品質を保証するために必要な白化プロセスにおいて自然に補正されることを見出した。これらの結果は,超常磁性トンネル接合が20fJ/ビットで真のランダムビットを生成できることを示唆した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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