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J-GLOBAL ID：201802240620950120   整理番号：18A0071213

プラズモン,光起電力とマイクロ波帯域阻止フィルタとしてのZnS/Ge/GaSe pn界面の設計【Powered by NICT】

Design of the ZnS/Ge/GaSe pn interfaces as plasmonic, photovoltaic and microwave band stop filters

著者 (2件)： Alharbi S.R. (Physics Department, Faculty of Science - Al Faisaliah, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Qasrawi A.F. (Groups of Physics at AAUJ, Jenin, Palestine and at Faculty of Engineering, Atilim University, 06836 Ankara, Turkey)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 7  ページ： 4427-4433  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ZnS(300 nm)/Ge(300 nm)/GaSe(300 nm)薄膜デバイスの設計の特徴を報告し,議論した。デバイスをX線回折,電子顕微鏡,エネルギー分散X線分光(EDS),光学分光法,マイクロ波出力分光法と光パワーに依存する光伝導率によって特徴づけられる。X線回折法を用いて,GeおよびGaSeの二非晶質層で被覆された多結晶ZnSを明らかにしたが,ホットプローブ試験は,pn界面の形成を明らかにした。ZnS/GeとGe/GaSe界面における伝導帯と価電子帯のオフセットを明らかにした光スペクトルは,界面での誘電分散についての情報を示した。膜を通る表面プラズモン相互作用の支配を仮定してモデル化したZnS/Ge/GaSeヘテロ接合の誘電スペクトルは単層及び二層と比較して三層中の自由キャリアのドリフト移動度の顕著な増加を明らかにした。フィッティングパラメータの範囲では,ノッチ周波数2.30GHzのフィルタリング特性を示す波トラップを設計し試験した。ac信号パワースペクトル吸収は~99%に達した。さらに,ZnS/Ge/GaSe界面上の光電流解析は,太陽電池や光検出応用のための適合性を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  多結晶 ,  *硫化亜鉛 ,  *マイクロ波 ,  *界面 ,  光電流 ,  非晶質 ,  モデリング ,  周波数 ,  相互作用 ,  太陽電池 ,  X線回折 ,  *ゲルマニウム ,  被覆
準シソーラス用語： *GaSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnS ,  光学材料 ,  被覆 ,  誘電特性 ,  GaSe

分類 (2件)： 医用素材  (GA05040H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズモン ,  光起電力 ,  マイクロ波 ,  帯域阻止フィルタ ,  ZnS ,  Ge ,  GaSe ,  PN ,  界面 ,  設計