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J-GLOBAL ID:201802240860566388   整理番号:18A1650050

2つの即発衝撃誘起相対論的電子欠乏事象の原因について【JST・京大機械翻訳】

On the cause of two prompt shock-induced relativistic electron depletion events
著者 (8件):
資料名:
巻: 177  ページ: 208-217  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0269A  ISSN: 1364-6826  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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昼側惑星間(IP)衝撃誘起注入は,地球の外部放射帯における高度に相対論的な電子源であることが知られており,おそらく内部帯における>1MeV電子の唯一の源である。関連する電子エネルギー化過程はよく理解されモデル化されている。最近,相対論的電子枯渇エコーもIPショックと関連しているが,枯渇を駆動する過程はあまり理解されていない。本研究では,Van Allen Probes,2013年3月17日,2015年5月24日に観測された2つの衝撃誘起>1MeV電子枯渇イベントを詳細に調べ,夜間側サブストーム関連の強化と枯渇に類似性を引き出した。両イベントは,Van Allen Probesの一つに衝撃誘起増強を示し,>1MeVチャネルにおいては枯渇を示し,このような観測はこれまでに報告されていない。2015年3月17日の間の>1MeV電子の減少は,同じ宇宙船上の10s-100s keV電子の増大と関連している。この減少は衝撃による非対称圧縮による内向き運動と結合したより大きな半径方向距離におけるシード電子の欠如の影響と一致した。75keV-2.6MeV電子の即時増強と枯渇を局所位相空間密度動径分布により説明した。2013年5月24日の間の電子フラックス動力学の観測は,イベント中に観測されたバタフライ分布によって支持された,より大きな半径方向距離における種子集団の欠如によっても説明できる。電子の内向き半径方向運動は,全体的な非対称圧縮よりも,相補的プローブ上で観測された>1MeV電子増強と関連する内向き伝搬インパルスに起因すると考えられる。この因果的なメカニズムは,サブストーム関連の枯渇に対して平行している。代わりに,磁気圏界面の突然ではあるが短い内向き運動による損失への突然の枯渇を属性とする証拠を提供した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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磁気圏 

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