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J-GLOBAL ID:201802240886539896   整理番号:18A0962886

X線光電子分光法と有効少数キャリア寿命を用いたヘテロ接合太陽電池のためのシリコンウエハ表面作製の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of silicon wafer surface preparation for heterojunction solar cells using X-ray photoelectron spectroscopy and effective minority carrier lifetime
著者 (13件):
資料名:
巻: 183  ページ: 205-210  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,シリコン表面調製のための最適条件に関する系統的研究を報告し,非組織化および化学的に組織化した試料の両方に対して,シリコンヘテロ接合太陽電池の結晶-非晶質シリコン(c-Si/a-Si:H)界面における優れた不動態化を確実にした。X線光電子分光法(XPS)を用いて,ウエハ表面上の既知のシリコン不純物の元素組成を分析した。効果的な少数キャリア寿命(τ_eff)と暗示された開回路電圧(iV_OC)によって特性化された表面純度と不動態化品質を,DCプラズマ過程を用いて堆積させた5つのキノン-メタノール溶液または10nmの真性a-Si:H層を用いて推定した。本研究では,表面損傷エッチング(SDE),テトラメチルアンモニウム水酸化物(TMAH)組織化およびその後のTMAH残留物除去が洗浄プロセスにおける最も重要な段階であり,簡潔で反復可能で化学物質の最小量を使用する簡単なウエハ洗浄アプローチを支援することを確認した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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