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J-GLOBAL ID：201802241102443158   整理番号：18A1242032

CCD熱反射率によりモニターしたAlInAs/InGaAs/InP量子カスケードレーザにおける熱散逸スキーム【JST・京大機械翻訳】

Heat Dissipation Schemes in AlInAs/InGaAs/InP Quantum Cascade Lasers Monitored by CCD Thermoreflectance

著者 (9件)： Pierscinska Dorota (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warszawa, Poland) ,  Pierscinski Kamil (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warszawa, Poland) ,  Gutowski Piotr (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warszawa, Poland) ,  Badura Mikolaj (Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland) ,  Sobczak Grzegorz (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warszawa, Poland) ,  Serebrennikova Olga (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warszawa, Poland) ,  Sciana Beata (Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland) ,  Tlaczala Marek (Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland) ,  Bugajski Maciej (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warszawa, Poland)
資料名： Photonics (Web)  (Photonics (Web))
巻： 4  号： 4  ページ： 47  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7260A  ISSN： 2304-6732  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,格子整合AlInAs/InGaAs/InP量子カスケードレーザの熱性能の実験的研究について報告した。研究した設計には,二重トレンチ,単一メサ,および埋め込まれたヘテロ構造が含まれており,それらは,結合した分子線エピタクシー(MBE)および金属有機気相エピタクシー(MOVPE)技術によって成長させた。レーザの熱特性を,電荷結合素子CCD熱反射率により調べた。この方法は,全装置の高分解能温度マップの高速で正確なレジストレーションを可能にする。量子カスケードレーザ(QCL)の形状を調べるために異なる熱散逸機構を観測した。熱的観点から,好ましい設計は埋め込まれたヘテロ構造である。埋め込まれたヘテロ構造とエピ層ダウンマウントは,QCLの活性コアから発生する熱を消散させる助けとなる。実験結果は,種々のデバイス構造における熱散逸の理論的予測と非常に良く一致した。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子整合 ,  素子構造 ,  *レーザ ,  熱特性 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子カスケードレーザ ,  高速度 ,  MOCVD ,  MBE成長 ,  *リン化インジウム
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  ヘテロ構造 ,  トレンチ ,  *熱散逸 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 量子カスケードレーザ ,  埋め込みヘテロ構造 ,  熱マッピング ,  熱反射分光法

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (23件)：

• Faist, J.; Capasso, F.; Sivco, D.L.; Sirtori, C.; Hutchinson, C.; Cho, A.L. Quantum cascade lasers. Science 1994, 264, 553-556.
• Razeghi, M.; Bandyopadhyay, N.; Bai, Y.; Slivken, S. Recent advances in mid infrared (3-5 μm) quantum cascade lasers. Opt. Mater. Express 2013, 3, 1872-1884.
• Anders, S.; Schrenk, W.; Gornik, E.; Strasser, G. Room-temperature emission of GaAs/AlGaAs superlattice quantum-cascade lasers at 12.6 μm. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1864-1866.
• Müller, A.; Faist, J. The quantum cascade laser: Ready for take-off. Nat. Photonics 2010, 4, 291.
• Faist, J.; Capasso, F.; Sirtori, C.; Sivco, D.; Cho, A. Quantum Cascade Lasers. In Intersubband Transitions in Quantum Wells: Physics and Device Applications, Semiconductor and Semimetals; Academic Press: San Diego, CA, USA, 2000; Volume 66, pp. 1-83.

タイトルに関連する用語 (9件)： CCD ,  熱反射率 ,  モニター ,  AlInAs ,  InGaAs ,  InP ,  量子カスケードレーザ ,  熱散逸 ,  スキーム