文献

J-GLOBAL ID：201802241155367749   整理番号：18A0446876

スピントルク強磁性共鳴を用いたサブ20nmまでのSTT-MRAMデバイスの磁気的性質【Powered by NICT】

Probing magnetic properties of STT-MRAM devices down to sub-20 nm using spin-torque FMR

著者 (21件)： Thomas Luc (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Jan Guenole (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Le Son (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Serrano-Guisan Santiago (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Lee Yuan-Jen (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Liu Huanlong (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Zhu Jian (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Iwata-Harms Jodi (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Tong Ru-Ying (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Patel Sahil (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Sundar Vignesh (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Shen Dongna (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Yang Yi (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  He Renren (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Haq Jesmin (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Teng Zhongjian (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Lam Vinh (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Liu Paul (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Wang Yu-Jen (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Zhong Tom (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA) ,  Wang Po-Kang (TDK- Headway Technologies, Inc., 463 S. Milpitas Boulevard, Milpitas CA 95035, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 38.4.1-38.4.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1X技術ノードを超えたスケーリングSTT-MRAM細胞は30nmより小さいMTJ素子を必要とするであろう。そのような小さなサイズに対して,プロセス誘起損傷が素子性能の一次要因となっている。サブ30nmデバイスの磁気的性質を評価するためのロバストな方法が必要である。ST FMRを用いた20nm素子まで異方性磁場H_Kの測定を報告した。H_Kはサイズの減少で増加することを示した。界面異方性磁場は23kOeを超える,最適プロセス条件下で20nmのデバイスのために13kOe以上のHkをもたらした。マイクロ磁気シミュレーションからの洞察を用いて,Hkサイズ依存性に適合し,種々のプロセス条件のための磁気エッジ損傷を定量化することを可能にする簡単なモデルを開発した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁気的性質 ,  *磁気 ,  異方性磁場 ,  界面 ,  ロバスト性 ,  *強磁性共鳴
準シソーラス用語： サイズ依存性 ,  マイクロマグネティックシミュレーション ,  *スピントルク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピントルク ,  強磁性共鳴 ,  サブ ,  STT-MRAM ,  磁気的性質